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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFH7184TRPBF
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRFH7184TRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFH7184TRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFH7184TRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 20A/128A PQFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN
Datenblatt
IRFH7184PbF.pdf
vorrätig: 4370

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Anzahl

Spezifikation

IRFH7184TRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFH7184TRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFH7184TRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3.6V @ 150µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PQFN (5x6)  
Serie FASTIRFET™, HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.8mOhm @ 50A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.9W (Ta), 156W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2320 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 54 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20A (Ta), 128A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFH7184TRPBF.

Produkteigenschaften IRFH7184TRPBF IRFH7440TR2PBF IRFH7190TRPBF IRFH7107TRPBF
Artikelnummer IRFH7184TRPBF IRFH7440TR2PBF IRFH7190TRPBF IRFH7107TRPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 54 nC @ 10 V 138 nC @ 10 V 39 nC @ 10 V 72 nC @ 10 V
Serie FASTIRFET™, HEXFET® - FASTIRFET™, HEXFET® HEXFET®
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20A (Ta), 128A (Tc) 85A (Tc) 15A (Ta), 82A (Tc) 14A (Ta), 75A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V - 10V 10V
Vgs (Max) ±20V - ±20V ±20V
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 40 V 100 V 75 V
Verlustleistung (max) 3.9W (Ta), 156W (Tc) - 3.6W (Ta), 104W (Tc) 3.6W (Ta), 104W (Tc)
Supplier Device-Gehäuse PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.8mOhm @ 50A, 10V 2.4mOhm @ 50A, 10V 7.5mOhm @ 49A, 10V 8.5mOhm @ 45A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2320 pF @ 50 V 4574 pF @ 25 V 1685 pF @ 50 V 3110 pF @ 25 V
VGS (th) (Max) @ Id 3.6V @ 150µA 3.9V @ 100µA 3.6V @ 100µA 4V @ 100µA
Paket Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

IRFH7184TRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFH7184TRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFH7184TRPBF - Infineon Technologies herunter.

PCN -Verpackung
Package Drawing Update 19/Aug/2015.pdf
Umweltinformationen
PQFN 5x6 RoHS Compliance.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Device EOL 22/Jul/2016.pdf
Datenblätter
IRFH7184PbF.pdf

Lieferung

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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