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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFH7185TRPBF
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRFH7185TRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFH7185TRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFH7185TRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N CH 100V 19A 8QFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN
Datenblatt
IRFH7185PbF.pdf
vorrätig: 5490

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Spezifikation

IRFH7185TRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFH7185TRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFH7185TRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3.6V @ 150µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-PQFN (5x6)  
Serie FASTIRFET™, HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.2mOhm @ 50A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.6W (Ta), 160W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2320 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 54 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 19A (Ta)  
Grundproduktnummer IRFH7185  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFH7185TRPBF.

Produkteigenschaften IRFH7185TRPBF IRFH7446TR2PBF IRFH7182TRPBF IRFH7191TRPBF
Artikelnummer IRFH7185TRPBF IRFH7446TR2PBF IRFH7182TRPBF IRFH7191TRPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2320 pF @ 50 V 3174 pF @ 25 V 3120 pF @ 50 V 1685 pF @ 50 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie FASTIRFET™, HEXFET® - FASTIRFET™, HEXFET® FASTIRFET™, HEXFET®
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verlustleistung (max) 3.6W (Ta), 160W (Tc) - 4W (Ta), 195W (Tc) 3.6W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.2mOhm @ 50A, 10V 3.3mOhm @ 50A, 10V 3.9mOhm @ 50A, 10V 8mOhm @ 48A, 10V
Grundproduktnummer IRFH7185 - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V - 10V 10V
FET-Merkmal - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 3.6V @ 150µA 3.9V @ 100µA 3.6V @ 250µA 3.6V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 54 nC @ 10 V 98 nC @ 10 V 74 nC @ 10 V 39 nC @ 10 V
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 40 V 100 V 100 V
Supplier Device-Gehäuse 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) PQFN (5x6)
Vgs (Max) ±20V - ±20V ±20V
Paket Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 19A (Ta) 85A (Tc) 23A (Ta), 157A (Tc) 15A (Ta), 80A (Tc)

IRFH7185TRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFH7185TRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFH7185TRPBF - Infineon Technologies herunter.

PCN -Verpackung
Packing Material Update 16/Sep/2016.pdf Barcode Label Update 24/Feb/2017.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Wafer Fab Closure/Device EOL 27/Oct/2016.pdf
Datenblätter
IRFH7185PbF.pdf

Lieferung

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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