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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFHM8326TRPBF
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRFHM8326TRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFHM8326TRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFHM8326TRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 25A PQFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN
Datenblatt
IRFHM8326TRPBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 170500

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Anzahl

Spezifikation

IRFHM8326TRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFHM8326TRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFHM8326TRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 50µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.7mOhm @ 20A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.8W (Ta), 37W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2496 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 19A (Ta)  
Grundproduktnummer IRFHM8326  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFHM8326TRPBF.

Produkteigenschaften IRFHM8326TRPBF IRFHM8235TRPBF IRFHM8228TRPBF IRFHM8342TRPBF
Artikelnummer IRFHM8326TRPBF IRFHM8235TRPBF IRFHM8228TRPBF IRFHM8342TRPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 2.8W (Ta), 37W (Tc) 3W (Ta), 30W (Tc) 2.8W (Ta), 34W (Tc) 2.6W (Ta), 20W (Tc)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 19A (Ta) 16A (Ta) 19A (Ta) 10A (Ta), 28A (Tc)
Grundproduktnummer IRFHM8326 - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 25 V 25 V 30 V
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerVDFN
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 50µA 2.35V @ 25µA 2.35V @ 25µA 2.35V @ 25µA
FET-Merkmal - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39 nC @ 10 V 12 nC @ 4.5 V 18 nC @ 10 V 10 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.7mOhm @ 20A, 10V 7.7mOhm @ 20A, 10V 5.2mOhm @ 20A, 10V 16mOhm @ 17A, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2496 pF @ 10 V 1040 pF @ 10 V 1667 pF @ 10 V 560 pF @ 25 V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®

IRFHM8326TRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFHM8326TRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFHM8326TRPBF - Infineon Technologies herunter.

PCN -Baugruppe/Herkunft
Warehouse Transfer 29/Jul/2015.pdf
PCN -Verpackung
Barcode Label Update 24/Feb/2017.pdf Mult Dev Lot No Format Chg 6/Apr/2018.pdf
PCN Andere
Mult Dev Lot Code Standardization 11/Nov/2022.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Mult Dev Lot Chgs 25/May/2021.pdf Mult Dev Halogen/PN Status Chgs 21/Feb/2023.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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