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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFHM8334TRPBF
International Rectifier
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IRFHM8334TRPBF - International Rectifier

Hersteller Artikelnummer
IRFHM8334TRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFHM8334TRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 13A/43A 8PQFN DL
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerVDFN
Datenblatt
IRFHM8334TRPBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4790

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Anzahl

Spezifikation

IRFHM8334TRPBF Tech -Spezifikationen
International Rectifier - IRFHM8334TRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie International Rectifier - IRFHM8334TRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-PQFN-Dual (3.3x3.3), Power33  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 20A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.7W (Ta), 28W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Bulk  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1180 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 13A (Ta), 43A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie International Rectifier IRFHM8334TRPBF.

Produkteigenschaften IRFHM8334TRPBF IRFHM8329TRPBF IRFHM8330TRPBF IRFHM8337TRPBF
Artikelnummer IRFHM8334TRPBF IRFHM8329TRPBF IRFHM8330TRPBF IRFHM8337TRPBF
Hersteller International Rectifier Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Verlustleistung (max) 2.7W (Ta), 28W (Tc) 2.6W (Ta), 33W (Tc) 2.7W (Ta), 33W (Tc) 2.8W (Ta), 25W (Tc)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN 8-PowerTDFN 8-PowerVDFN 8-PowerTDFN
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1180 pF @ 10 V 1710 pF @ 10 V 1450 pF @ 25 V 755 pF @ 15 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 13A (Ta), 43A (Tc) 16A (Ta), 57A (Tc) 16A (Ta), 55A (Tc) 12A (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V 26 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 8.1 nC @ 4.5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 20A, 10V 6.1mOhm @ 20A, 10V 6.6mOhm @ 20A, 10V 12.4mOhm @ 12A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Paket Bulk Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Supplier Device-Gehäuse 8-PQFN-Dual (3.3x3.3), Power33 PQFN (3x3) 8-PQFN (3.3x3.3) 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA 2.2V @ 25µA 2.35V @ 25µA 2.35V @ 25µA

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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