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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFSL3207
Infineon Technologies
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IRFSL3207 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFSL3207
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFSL3207
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 75V 180A TO262
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Datenblatt
IRFSL3207.pdf
vorrätig: 5400

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Anzahl

Spezifikation

IRFSL3207 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFSL3207 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFSL3207

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-262  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 75A, 10V  
Verlustleistung (max) 330W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7600 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 260 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 75 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 180A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFSL3207.

Produkteigenschaften IRFSL3207 IRFSL3306PBF IRFSL17N20D IRFSL23N20D102P
Artikelnummer IRFSL3207 IRFSL3306PBF IRFSL17N20D IRFSL23N20D102P
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
FET-Merkmal - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±30V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss) 75 V 60 V 200 V 200 V
Supplier Device-Gehäuse TO-262 TO-262 TO-262 TO-262
Paket Tube Tube Tube Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 75A, 10V 4.2mOhm @ 75A, 10V 170mOhm @ 9.8A, 10V 100mOhm @ 14A, 10V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 150µA 5.5V @ 250µA 5.5V @ 250µA
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 330W (Tc) 230W (Tc) 3.8W (Ta), 140W (Tc) 3.8W (Ta), 170W (Tc)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 180A (Tc) 120A (Tc) 16A (Tc) 24A (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7600 pF @ 50 V 4520 pF @ 50 V 1100 pF @ 25 V 1960 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 260 nC @ 10 V 120 nC @ 10 V 50 nC @ 10 V 86 nC @ 10 V

IRFSL3207 Datenblatt PDF

Laden Sie IRFSL3207 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFSL3207 - Infineon Technologies herunter.

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PCN -Obsoleszenz/ EOL
EOL122B 02/Oct/2007.pdf

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