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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFSL3306PBF
Infineon Technologies
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IRFSL3306PBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFSL3306PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFSL3306PBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 120A TO262
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Datenblatt
IRFSL3306PBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 31746

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Anzahl

Spezifikation

IRFSL3306PBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFSL3306PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFSL3306PBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 150µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-262  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2mOhm @ 75A, 10V  
Verlustleistung (max) 230W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4520 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 120 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 120A (Tc)  
Grundproduktnummer IRFSL3306  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFSL3306PBF.

Produkteigenschaften IRFSL3306PBF IRFSL23N20D102P IRFSL3607PBF IRFSL4228PBF
Artikelnummer IRFSL3306PBF IRFSL23N20D102P IRFSL3607PBF IRFSL4228PBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Supplier Device-Gehäuse TO-262 TO-262 TO-262 TO-262
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 120A (Tc) 24A (Tc) 80A (Tc) 83A (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 200 V 75 V 150 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±30V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 150µA 5.5V @ 250µA 4V @ 100µA 5V @ 250µA
Verlustleistung (max) 230W (Tc) 3.8W (Ta), 170W (Tc) 140W (Tc) 330W (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2mOhm @ 75A, 10V 100mOhm @ 14A, 10V 9mOhm @ 46A, 10V 15mOhm @ 33A, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4520 pF @ 50 V 1960 pF @ 25 V 3070 pF @ 50 V 4530 pF @ 25 V
Paket Tube Tube Bulk Tube
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Grundproduktnummer IRFSL3306 - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 120 nC @ 10 V 86 nC @ 10 V 84 nC @ 10 V 107 nC @ 10 V

IRFSL3306PBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFSL3306PBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFSL3306PBF - Infineon Technologies herunter.

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