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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFSL4020PBF
Infineon Technologies
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IRFSL4020PBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFSL4020PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFSL4020PBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 18A TO262
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Datenblatt
IRFSL4020PBF.pdf
vorrätig: 4730

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Spezifikation

IRFSL4020PBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFSL4020PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFSL4020PBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4.9V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-262  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 105mOhm @ 11A, 10V  
Verlustleistung (max) 100W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1200 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 18A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFSL4020PBF.

Produkteigenschaften IRFSL4020PBF IRFSL3306PBF IRFSL4310PBF IRFSL4229PBF
Artikelnummer IRFSL4020PBF IRFSL3306PBF IRFSL4310PBF IRFSL4229PBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Supplier Device-Gehäuse TO-262 TO-262 TO-262 TO-262
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Serie - HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V 60 V 100 V 250 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 18A (Tc) 120A (Tc) 130A (Tc) 45A (Tc)
Paket Tube Tube Tube Tube
Verlustleistung (max) 100W (Tc) 230W (Tc) 300W (Tc) 330W (Tc)
FET-Merkmal - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 4.9V @ 100µA 4V @ 150µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 10 V 120 nC @ 10 V 250 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±30V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs 105mOhm @ 11A, 10V 4.2mOhm @ 75A, 10V 7mOhm @ 75A, 10V 48mOhm @ 26A, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1200 pF @ 50 V 4520 pF @ 50 V 7670 pF @ 50 V 4560 pF @ 25 V

IRFSL4020PBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFSL4020PBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFSL4020PBF - Infineon Technologies herunter.

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