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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFSL4229PBF
Infineon Technologies
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IRFSL4229PBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFSL4229PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFSL4229PBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 250V 45A TO262
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Datenblatt
IRFSL4229PBF.pdf
vorrätig: 4160

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Spezifikation

IRFSL4229PBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFSL4229PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFSL4229PBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-262  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 48mOhm @ 26A, 10V  
Verlustleistung (max) 330W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4560 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 45A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFSL4229PBF.

Produkteigenschaften IRFSL4229PBF IRFSL3607PBF IRFSL4410 IRFSL4321PBF
Artikelnummer IRFSL4229PBF IRFSL3607PBF IRFSL4410 IRFSL4321PBF
Hersteller Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 45A (Tc) 80A (Tc) 96A (Tc) 85A (Tc)
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±30V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250 V 75 V 100 V 150 V
Supplier Device-Gehäuse TO-262 TO-262 TO-262 TO-262
Rds On (Max) @ Id, Vgs 48mOhm @ 26A, 10V 9mOhm @ 46A, 10V 10mOhm @ 58A, 10V 15mOhm @ 33A, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4560 pF @ 25 V 3070 pF @ 50 V 5150 pF @ 50 V 4460 pF @ 25 V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Verlustleistung (max) 330W (Tc) 140W (Tc) 250W (Tc) 350W (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4V @ 100µA 4V @ 150µA 5V @ 250µA
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Paket Tube Bulk Tube Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V 84 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

IRFSL4229PBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFSL4229PBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFSL4229PBF - Infineon Technologies herunter.

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IRFSL4229PBF.pdf

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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