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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFSL4227PBF
Infineon Technologies
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IRFSL4227PBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFSL4227PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFSL4227PBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 62A TO262
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Datenblatt
IRFSL4227PBF.pdf
vorrätig: 5230

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Anzahl

Spezifikation

IRFSL4227PBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFSL4227PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFSL4227PBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-262  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26mOhm @ 46A, 10V  
Verlustleistung (max) 330W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4600 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 98 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 62A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFSL4227PBF.

Produkteigenschaften IRFSL4227PBF IRFSL4310ZPBF IRFSL3607PBF IRFSL4229PBF
Artikelnummer IRFSL4227PBF IRFSL4310ZPBF IRFSL3607PBF IRFSL4229PBF
Hersteller Infineon Technologies International Rectifier International Rectifier Infineon Technologies
Supplier Device-Gehäuse TO-262 TO-262 TO-262 TO-262
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±30V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V 100 V 75 V 250 V
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 98 nC @ 10 V 170 nC @ 10 V 84 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Verlustleistung (max) 330W (Tc) 250W (Tc) 140W (Tc) 330W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26mOhm @ 46A, 10V 6mOhm @ 75A, 10V 9mOhm @ 46A, 10V 48mOhm @ 26A, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4V @ 150µA 4V @ 100µA 5V @ 250µA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 62A (Tc) 120A (Tc) 80A (Tc) 45A (Tc)
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4600 pF @ 25 V 6860 pF @ 50 V 3070 pF @ 50 V 4560 pF @ 25 V
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ)
Paket Tube Bulk Bulk Tube
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

IRFSL4227PBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFSL4227PBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFSL4227PBF - Infineon Technologies herunter.

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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