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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRL1404LPBF
Infineon Technologies
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IRL1404LPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRL1404LPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRL1404LPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 160A TO262
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Datenblatt
IRL1404LPBF.pdf
vorrätig: 4470

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Anzahl

Spezifikation

IRL1404LPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRL1404LPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRL1404LPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-262  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4mOhm @ 95A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.8W (Ta), 200W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6600 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 140 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.3V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 160A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRL1404LPBF.

Produkteigenschaften IRL1404LPBF IRL1104S IRL1404PBF IRL1404STRLPBF
Artikelnummer IRL1404LPBF IRL1104S IRL1404PBF IRL1404STRLPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Verlustleistung (max) 3.8W (Ta), 200W (Tc) 2.4W (Ta), 167W (Tc) 200W (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±16V ±20V ±20V
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Through Hole Surface Mount
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.3V, 10V 4.5V, 10V 4.3V, 10V 4.3V, 10V
Supplier Device-Gehäuse TO-262 D2PAK TO-220AB D2PAK
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 160A (Tc) 104A (Tc) 160A (Tc) 160A (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 40 V 40 V 40 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4mOhm @ 95A, 10V 8mOhm @ 62A, 10V 4mOhm @ 95A, 10V 4mOhm @ 95A, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6600 pF @ 25 V 3445 pF @ 25 V 6590 pF @ 25 V 6600 pF @ 25 V
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 1V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Paket Tube Tube Bulk Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 140 nC @ 5 V 68 nC @ 4.5 V 140 nC @ 5 V 140 nC @ 5 V

IRL1404LPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRL1404LPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRL1404LPBF - Infineon Technologies herunter.

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PCN -Obsoleszenz/ EOL
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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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