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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRL100HS121
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRL100HS121 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRL100HS121
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRL100HS121
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 11A 6PQFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-PowerVDFN
Datenblatt
IRL100HS121.pdf
RoHS Status
vorrätig: 57070

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Anzahl

Spezifikation

IRL100HS121 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRL100HS121 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRL100HS121

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.3V @ 10µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 6-PQFN Dual (2x2)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42mOhm @ 6.7A, 10V  
Verlustleistung (max) 11.5W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 6-PowerVDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 440 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.6 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11A (Tc)  
Grundproduktnummer IRL100  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRL100HS121.

Produkteigenschaften IRL100HS121 IRL1104SPBF IRL1104 IRL1404LPBF
Artikelnummer IRL100HS121 IRL1104SPBF IRL1104 IRL1404LPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.3V, 10V
FET-Merkmal - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11A (Tc) 104A (Tc) 104A (Tc) 160A (Tc)
Verpackung / Gehäuse 6-PowerVDFN TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Grundproduktnummer IRL100 - - -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 2.3V @ 10µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 3V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42mOhm @ 6.7A, 10V 8mOhm @ 62A, 10V 8mOhm @ 62A, 10V 4mOhm @ 95A, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 40 V 40 V 40 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 440 pF @ 50 V 3445 pF @ 25 V 3445 pF @ 25 V 6600 pF @ 25 V
Paket Tape & Reel (TR) Tube Tube Tube
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Through Hole Through Hole
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±16V ±16V ±20V
Verlustleistung (max) 11.5W (Tc) 2.4W (Ta), 167W (Tc) 167W (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.6 nC @ 4.5 V 68 nC @ 4.5 V 68 nC @ 4.5 V 140 nC @ 5 V
Serie - HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Supplier Device-Gehäuse 6-PQFN Dual (2x2) D2PAK TO-220AB TO-262

IRL100HS121 Datenblatt PDF

Laden Sie IRL100HS121 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRL100HS121 - Infineon Technologies herunter.

PCN -Design/Spezifikation
Mult Dev DC/Mark Chgs 20/Jul/2022.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Wafer Chgs 3/Nov/2022.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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