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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRL1104
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IRL1104 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRL1104
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRL1104
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 104A TO220AB
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
IRL1104.pdf
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 4520

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Spezifikation

IRL1104 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRL1104 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRL1104

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 62A, 10V  
Verlustleistung (max) 167W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3445 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 68 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 104A (Tc)  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status RoHS nicht konform
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRL1104.

Produkteigenschaften IRL1104 IRL1004SPBF IRL100HS121 IRL1404LPBF
Artikelnummer IRL1104 IRL1004SPBF IRL100HS121 IRL1404LPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Verlustleistung (max) 167W (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) 11.5W (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs (Max) ±16V ±16V ±20V ±20V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.3V, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 2.3V @ 10µA 3V @ 250µA
Paket Tube Tube Tape & Reel (TR) Tube
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 6-PowerVDFN TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3445 pF @ 25 V 5330 pF @ 25 V 440 pF @ 50 V 6600 pF @ 25 V
Serie HEXFET® HEXFET® - HEXFET®
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB D2PAK 6-PQFN Dual (2x2) TO-262
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Surface Mount Through Hole
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 62A, 10V 6.5mOhm @ 78A, 10V 42mOhm @ 6.7A, 10V 4mOhm @ 95A, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 40 V 100 V 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 68 nC @ 4.5 V 100 nC @ 4.5 V 5.6 nC @ 4.5 V 140 nC @ 5 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 104A (Tc) 130A (Tc) 11A (Tc) 160A (Tc)

IRL1104 Datenblatt PDF

Laden Sie IRL1104 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRL1104 - Infineon Technologies herunter.

Andere verwandte Dokumente
Part Number Guide.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
EOL122B 02/Oct/2007.pdf
Datenblätter
IRL1104.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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