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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRL520NL
Infineon Technologies
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IRL520NL - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRL520NL
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRL520NL
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 10A TO262
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Datenblatt
IRL520NL.pdf
vorrätig: 5340

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Spezifikation

IRL520NL Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRL520NL Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRL520NL

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-262  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 6A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.8W (Ta), 48W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 440 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRL520NL.

Produkteigenschaften IRL520NL IRL520NS IRL520NPBF IRL510SPBF
Artikelnummer IRL520NL IRL520NS IRL520NPBF IRL510SPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Vishay Siliconix
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Through Hole Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 5 V 20 nC @ 5 V 20 nC @ 5 V 6.1 nC @ 5 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10A (Tc) 10A (Tc) 10A (Tc) 5.6A (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 6A, 10V 180mOhm @ 6A, 10V 180mOhm @ 6A, 10V 540mOhm @ 3.4A, 5V
Supplier Device-Gehäuse TO-262 D2PAK TO-220AB D²PAK (TO-263)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (Max) ±16V ±16V ±16V ±10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 440 pF @ 25 V 440 pF @ 25 V 440 pF @ 25 V 250 pF @ 25 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verlustleistung (max) 3.8W (Ta), 48W (Tc) 3.8W (Ta), 48W (Tc) 48W (Tc) 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Paket Tube Tube Tube Tape & Reel (TR)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 100 V 100 V 100 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V 4V, 10V 4V, 10V 4V, 5V

IRL520NL Datenblatt PDF

Laden Sie IRL520NL PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRL520NL - Infineon Technologies herunter.

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PCN -Obsoleszenz/ EOL
EOL122B 02/Oct/2007.pdf

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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