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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRL520LPBF
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRL520LPBF - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
IRL520LPBF
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-IRL520LPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 9.2A TO262-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Datenblatt
IRL520L, SiHL520L.pdf
RoHS Status
vorrätig: 49890

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Anzahl

Spezifikation

IRL520LPBF Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - IRL520LPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - IRL520LPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±10V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-262-3  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 270mOhm @ 5.5A, 5V  
Verlustleistung (max) 60W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 490 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9.2A (Tc)  
Grundproduktnummer IRL520  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix IRL520LPBF.

Produkteigenschaften IRL520LPBF IRL520NS IRL510SPBF IRL520
Artikelnummer IRL520LPBF IRL520NS IRL510SPBF IRL520
Hersteller Vishay Siliconix Infineon Technologies Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Serie - HEXFET® - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tube Tube Tape & Reel (TR) Tube
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Surface Mount Through Hole
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 270mOhm @ 5.5A, 5V 180mOhm @ 6A, 10V 540mOhm @ 3.4A, 5V 270mOhm @ 5.5A, 5V
Vgs (Max) ±10V ±16V ±10V ±10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Verlustleistung (max) 60W (Tc) 3.8W (Ta), 48W (Tc) 3.7W (Ta), 43W (Tc) 60W (Tc)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9.2A (Tc) 10A (Tc) 5.6A (Tc) 9.2A (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3
Grundproduktnummer IRL520 - IRL510 IRL520
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 100 V 100 V 100 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 490 pF @ 25 V 440 pF @ 25 V 250 pF @ 25 V 490 pF @ 25 V
Supplier Device-Gehäuse TO-262-3 D2PAK D²PAK (TO-263) TO-220AB
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V 4V, 10V 4V, 5V 4V, 5V
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 5 V 20 nC @ 5 V 6.1 nC @ 5 V 12 nC @ 5 V

IRL520LPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRL520LPBF PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für IRL520LPBF - Vishay Siliconix herunter.

PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Devices 18/Jul/2017.pdf
Datenblätter
IRL520L, SiHL520L.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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