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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRL510SPBF
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRL510SPBF - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
IRL510SPBF
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-IRL510SPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
IRL510S, SiHL510S.pdf
RoHS Status
vorrätig: 62920

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Anzahl

Spezifikation

IRL510SPBF Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - IRL510SPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - IRL510SPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±10V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 540mOhm @ 3.4A, 5V  
Verlustleistung (max) 3.7W (Ta), 43W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 250 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.1 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.6A (Tc)  
Grundproduktnummer IRL510  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix IRL510SPBF.

Produkteigenschaften IRL510SPBF IRL510S IRL510PBF IRL510
Artikelnummer IRL510SPBF IRL510S IRL510PBF IRL510
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Vgs (Max) ±10V ±10V ±10V ±10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.1 nC @ 5 V 6.1 nC @ 5 V 6.1 nC @ 5 V 6.1 nC @ 5 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.6A (Tc) 5.6A (Tc) 5.6A (Tc) 5.6A (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 250 pF @ 25 V 250 pF @ 25 V 250 pF @ 25 V 250 pF @ 25 V
FET-Merkmal - - - -
Serie - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Grundproduktnummer IRL510 IRL510 IRL510 IRL510
Rds On (Max) @ Id, Vgs 540mOhm @ 3.4A, 5V 540mOhm @ 3.4A, 5V 540mOhm @ 3.4A, 5V 540mOhm @ 3.4A, 5V
Verlustleistung (max) 3.7W (Ta), 43W (Tc) 3.7W (Ta), 43W (Tc) 43W (Tc) 43W (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V 4V, 5V 4V, 5V 4V, 5V
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) TO-220AB TO-220AB
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Through Hole Through Hole
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-220-3
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 100 V 100 V 100 V
Paket Tape & Reel (TR) Tube Tube Tube

IRL510SPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRL510SPBF PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für IRL510SPBF - Vishay Siliconix herunter.

PCN -Baugruppe/Herkunft
Additional Assembly Site 21/Oct/2016.pdf
Datenblätter
IRL510S, SiHL510S.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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