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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRL510STRLPBF
Vishay Siliconix
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IRL510STRLPBF - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
IRL510STRLPBF
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-IRL510STRLPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
IRL510S, SiHL510S.pdf
RoHS Status
vorrätig: 29773

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Anzahl

Spezifikation

IRL510STRLPBF Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - IRL510STRLPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - IRL510STRLPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±10V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 540mOhm @ 3.4A, 5V  
Verlustleistung (max) 3.7W (Ta), 43W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 250 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.1 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.6A (Tc)  
Grundproduktnummer IRL510  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix IRL510STRLPBF.

Produkteigenschaften IRL510STRLPBF IRL40SC209 IRL520LPBF IRL40SC228
Artikelnummer IRL510STRLPBF IRL40SC209 IRL520LPBF IRL40SC228
Hersteller Vishay Siliconix Infineon Technologies Vishay Siliconix Infineon Technologies
FET-Merkmal - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 250 pF @ 25 V 15270 pF @ 25 V 490 pF @ 25 V 19680 pF @ 25 V
Serie - StrongIRFET™ - StrongIRFET™
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2.4V @ 250µA 2V @ 250µA 2.4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 540mOhm @ 3.4A, 5V 0.8mOhm @ 100A, 10V 270mOhm @ 5.5A, 5V 0.65mOhm @ 100A, 10V
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263) D2PAK (7-Lead) TO-262-3 D2PAK (7-Lead)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 40 V 100 V 40 V
Grundproduktnummer IRL510 IRL40SC209 IRL520 IRL40SC228
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
Verlustleistung (max) 3.7W (Ta), 43W (Tc) 375W (Tc) 60W (Tc) 416W (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.6A (Tc) 478A (Tc) 9.2A (Tc) 557A (Tc)
Vgs (Max) ±10V ±20V ±10V ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.1 nC @ 5 V 267 nC @ 4.5 V 12 nC @ 5 V 307 nC @ 4.5 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V 4.5V, 10V 4V, 5V 4.5V, 10V

IRL510STRLPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRL510STRLPBF PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für IRL510STRLPBF - Vishay Siliconix herunter.

PCN -Baugruppe/Herkunft
Additional Assembly Site 21/Oct/2016.pdf
Datenblätter
IRL510S, SiHL510S.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
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Neuseeland 5
Asien Indien 4
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Naher Osten Israel 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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