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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysIRLHS6376TRPBF
Infineon Technologies
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IRLHS6376TRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRLHS6376TRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRLHS6376TRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 3.6A 6PQFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-VDFN Exposed Pad
Datenblatt
IRLHS6376TRPBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 188800

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Anzahl

Spezifikation

IRLHS6376TRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRLHS6376TRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRLHS6376TRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 1.1V @ 10µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 6-PQFN (2x2)  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 63mOhm @ 3.4A, 4.5V  
Leistung - max 1.5W  
Verpackung / Gehäuse 6-VDFN Exposed Pad  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 270pF @ 25V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.8nC @ 4.5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.6A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer IRLHS6376  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRLHS6376TRPBF.

Produkteigenschaften IRLHS6376TRPBF IRLHS6276TRPBF IRLHS6276TR2PBF IRLI2910
Artikelnummer IRLHS6376TRPBF IRLHS6276TRPBF IRLHS6276TR2PBF IRLI2910
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
VGS (th) (Max) @ Id 1.1V @ 10µA 1.1V @ 10µA 1.1V @ 10µA 2V @ 250µA
Verpackung / Gehäuse 6-VDFN Exposed Pad 6-VQFN 6-PowerVDFN TO-220-3 Full Pack
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tube
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.6A 4.5A 4.5A 31A (Tc)
Grundproduktnummer IRLHS6376 IRLHS6276 IRLHS6276 -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate -
Leistung - max 1.5W 1.5W 1.5W -
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 20V 20V 100 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse 6-PQFN (2x2) 6-PQFN (2x2) 6-PQFN Dual (2x2) TO-220AB Full-Pak
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 175°C (TJ)
Serie HEXFET® HEXFET® - HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 63mOhm @ 3.4A, 4.5V 45mOhm @ 3.4A, 4.5V 45mOhm @ 3.4A, 4.5V 26mOhm @ 16A, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 270pF @ 25V 310pF @ 10V 310pF @ 10V 3700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.8nC @ 4.5V 3.1nC @ 4.5V 3.1nC @ 4.5V 140 nC @ 5 V

IRLHS6376TRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRLHS6376TRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRLHS6376TRPBF - Infineon Technologies herunter.

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