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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysIRLHS6276TRPBF
Infineon Technologies
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IRLHS6276TRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRLHS6276TRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRLHS6276TRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PQFN
Verpackung
6-VQFN
Datenblatt
IRLHS6276TRPBF.pdf
RoHS Status
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 107210

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Spezifikation

IRLHS6276TRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRLHS6276TRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRLHS6276TRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 1.1V @ 10µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 6-PQFN (2x2)  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 3.4A, 4.5V  
Leistung - max 1.5W  
Verpackung / Gehäuse 6-VQFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 310pF @ 10V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.1nC @ 4.5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.5A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer IRLHS6276  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRLHS6276TRPBF.

Produkteigenschaften IRLHS6276TRPBF IRLHS6276TR2PBF IRLHS6376TRPBF IRLHS6242
Artikelnummer IRLHS6276TRPBF IRLHS6276TR2PBF IRLHS6376TRPBF IRLHS6242
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.5A 4.5A 3.6A -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 3.4A, 4.5V 45mOhm @ 3.4A, 4.5V 63mOhm @ 3.4A, 4.5V -
Supplier Device-Gehäuse 6-PQFN (2x2) 6-PQFN Dual (2x2) 6-PQFN (2x2) -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V 20V 30V -
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) -
Serie HEXFET® - HEXFET® -
Verpackung / Gehäuse 6-VQFN 6-PowerVDFN 6-VDFN Exposed Pad -
Leistung - max 1.5W 1.5W 1.5W -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -
VGS (th) (Max) @ Id 1.1V @ 10µA 1.1V @ 10µA 1.1V @ 10µA -
Paket Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) -
Grundproduktnummer IRLHS6276 IRLHS6276 IRLHS6376 -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.1nC @ 4.5V 3.1nC @ 4.5V 2.8nC @ 4.5V -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 310pF @ 10V 310pF @ 10V 270pF @ 25V -
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -

IRLHS6276TRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRLHS6276TRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRLHS6276TRPBF - Infineon Technologies herunter.

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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