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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysIRLHS6276TRPBF
Infineon Technologies
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IRLHS6276TRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRLHS6276TRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRLHS6276TRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PQFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-VQFN
Datenblatt
IRLHS6276TRPBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 107210

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Anzahl

Spezifikation

IRLHS6276TRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRLHS6276TRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRLHS6276TRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 1.1V @ 10µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 6-PQFN (2x2)  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 3.4A, 4.5V  
Leistung - max 1.5W  
Verpackung / Gehäuse 6-VQFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 310pF @ 10V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.1nC @ 4.5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.5A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer IRLHS6276  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRLHS6276TRPBF.

Produkteigenschaften IRLHS6276TRPBF IRLHS6376TRPBF IRLHS6276TR2PBF IRLI2203N
Artikelnummer IRLHS6276TRPBF IRLHS6376TRPBF IRLHS6276TR2PBF IRLI2203N
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.5A 3.6A 4.5A 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 3.4A, 4.5V 63mOhm @ 3.4A, 4.5V 45mOhm @ 3.4A, 4.5V 7mOhm @ 37A, 10V
Supplier Device-Gehäuse 6-PQFN (2x2) 6-PQFN (2x2) 6-PQFN Dual (2x2) PG-TO220-FP
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V 30V 20V 30 V
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) -
Serie HEXFET® HEXFET® - HEXFET®
Verpackung / Gehäuse 6-VQFN 6-VDFN Exposed Pad 6-PowerVDFN TO-220-3 Full Pack
Leistung - max 1.5W 1.5W 1.5W -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 175°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 1.1V @ 10µA 1.1V @ 10µA 1.1V @ 10µA 1V @ 250µA
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tube
Grundproduktnummer IRLHS6276 IRLHS6376 IRLHS6276 -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.1nC @ 4.5V 2.8nC @ 4.5V 3.1nC @ 4.5V 110 nC @ 4.5 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 310pF @ 10V 270pF @ 25V 310pF @ 10V 3500 pF @ 25 V
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

IRLHS6276TRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRLHS6276TRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRLHS6276TRPBF - Infineon Technologies herunter.

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