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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRLR3410TRR
IRLR3410TRR Image
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IRLR3410TRR - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRLR3410TRR
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRLR3410TRR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
IRLR3410TRR.pdf
vorrätig: 4130

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Anzahl

Spezifikation

IRLR3410TRR Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRLR3410TRR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRLR3410TRR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D-Pak  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 105mOhm @ 10A, 10V  
Verlustleistung (max) 79W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 800 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 17A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRLR3410TRR.

Produkteigenschaften IRLR3410TRR IRLR3705ZPBF IRLR3303TRPBF IRLR3705Z
Artikelnummer IRLR3410TRR IRLR3705ZPBF IRLR3303TRPBF IRLR3705Z
Hersteller Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 5 V 66 nC @ 5 V 26 nC @ 4.5 V 66 nC @ 5 V
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) ±16V ±16V ±16V ±16V
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs 105mOhm @ 10A, 10V 8mOhm @ 42A, 10V 31mOhm @ 21A, 10V 8mOhm @ 42A, 10V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 55 V 30 V 55 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 17A (Tc) 42A (Tc) 35A (Tc) 42A (Tc)
Supplier Device-Gehäuse D-Pak D-Pak D-Pak D-Pak
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 800 pF @ 25 V 2900 pF @ 25 V 870 pF @ 25 V 2900 pF @ 25 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 3V @ 250µA 1V @ 250µA 3V @ 250µA
Verlustleistung (max) 79W (Tc) 130W (Tc) 68W (Tc) 130W (Tc)

IRLR3410TRR Datenblatt PDF

Laden Sie IRLR3410TRR PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRLR3410TRR - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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