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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRLR3410TRRPBF
IRLR3410TRRPBF Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRLR3410TRRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRLR3410TRRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRLR3410TRRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
IRLR3410TRRPBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 91260

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Spezifikation

IRLR3410TRRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRLR3410TRRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRLR3410TRRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D-Pak  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 105mOhm @ 10A, 10V  
Verlustleistung (max) 79W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 800 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 17A (Tc)  
Grundproduktnummer IRLR3410  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRLR3410TRRPBF.

Produkteigenschaften IRLR3410TRRPBF IRLR3410TRR IRLR3410PBF IRLR3303TRR
Artikelnummer IRLR3410TRRPBF IRLR3410TRR IRLR3410PBF IRLR3303TRR
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Vgs (Max) ±16V ±16V ±16V ±16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 105mOhm @ 10A, 10V 105mOhm @ 10A, 10V 105mOhm @ 10A, 10V 31mOhm @ 21A, 10V
Grundproduktnummer IRLR3410 - - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Supplier Device-Gehäuse D-Pak D-Pak D-Pak D-Pak
FET-Merkmal - - - -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 5 V 34 nC @ 5 V 34 nC @ 5 V 26 nC @ 4.5 V
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Verlustleistung (max) 79W (Tc) 79W (Tc) 79W (Tc) 68W (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 1V @ 250µA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V 4V, 10V 4V, 10V 4.5V, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 800 pF @ 25 V 800 pF @ 25 V 800 pF @ 25 V 870 pF @ 25 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 17A (Tc) 17A (Tc) 17A (Tc) 35A (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 100 V 100 V 30 V

IRLR3410TRRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRLR3410TRRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRLR3410TRRPBF - Infineon Technologies herunter.

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