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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRLR3714
IRLR3714 Image
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IRLR3714 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRLR3714
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRLR3714
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 36A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
IRL(R,U)3714.pdf
vorrätig: 3640

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Anzahl

Spezifikation

IRLR3714 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRLR3714 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRLR3714

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D-Pak  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 18A, 10V  
Verlustleistung (max) 47W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 670 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.7 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 36A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRLR3714.

Produkteigenschaften IRLR3714 IRLR3714TRL IRLR3705ZPBF IRLR3714ZPBF
Artikelnummer IRLR3714 IRLR3714TRL IRLR3705ZPBF IRLR3714ZPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 2.55V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse D-Pak D-Pak D-Pak D-Pak
Vgs (Max) ±20V ±20V ±16V ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 18A, 10V 20mOhm @ 18A, 10V 8mOhm @ 42A, 10V 15mOhm @ 15A, 10V
Verlustleistung (max) 47W (Tc) 47W (Tc) 130W (Tc) 35W (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.7 nC @ 4.5 V 9.7 nC @ 4.5 V 66 nC @ 5 V 7.1 nC @ 4.5 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 36A (Tc) 36A (Tc) 42A (Tc) 37A (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
FET-Merkmal - - - -
Paket Tube Tape & Reel (TR) Bulk Tube
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 670 pF @ 10 V 670 pF @ 10 V 2900 pF @ 25 V 560 pF @ 10 V
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 20 V 55 V 20 V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®

IRLR3714 Datenblatt PDF

Laden Sie IRLR3714 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRLR3714 - Infineon Technologies herunter.

Andere verwandte Dokumente
Part Number Guide.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
EOL122B 02/Oct/2007.pdf
Datenblätter
IRL(R,U)3714.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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