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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRLR3714TRR
IRLR3714TRR Image
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IRLR3714TRR - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRLR3714TRR
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRLR3714TRR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 36A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
IRL(R,U)3714.pdf
vorrätig: 4170

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Anzahl

Spezifikation

IRLR3714TRR Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRLR3714TRR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRLR3714TRR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D-Pak  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 18A, 10V  
Verlustleistung (max) 47W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 670 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.7 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 36A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRLR3714TRR.

Produkteigenschaften IRLR3714TRR IRLR3715Z IRLR3714ZPBF IRLR3714ZTRPBF
Artikelnummer IRLR3714TRR IRLR3715Z IRLR3714ZPBF IRLR3714ZTRPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 670 pF @ 10 V 810 pF @ 10 V 560 pF @ 10 V 560 pF @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 18A, 10V 11mOhm @ 15A, 10V 15mOhm @ 15A, 10V 15mOhm @ 15A, 10V
Paket Tape & Reel (TR) Tube Tube Tape & Reel (TR)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 20 V 20 V 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.7 nC @ 4.5 V 11 nC @ 4.5 V 7.1 nC @ 4.5 V 7.1 nC @ 4.5 V
Supplier Device-Gehäuse D-Pak D-Pak D-Pak D-Pak
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 2.55V @ 250µA 2.55V @ 250µA 2.55V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 36A (Tc) 49A (Tc) 37A (Tc) 37A (Tc)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verlustleistung (max) 47W (Tc) 40W (Tc) 35W (Tc) 35W (Tc)

IRLR3714TRR Datenblatt PDF

Laden Sie IRLR3714TRR PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRLR3714TRR - Infineon Technologies herunter.

Andere verwandte Dokumente
Part Number Guide.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 11/Aug/2008.pdf
Datenblätter
IRL(R,U)3714.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Europa Deutschland 5
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Italien 5
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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