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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRLR3714Z
IRLR3714Z Image
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IRLR3714Z - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRLR3714Z
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRLR3714Z
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 37A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
IRLR3714Z, IRLU3714Z.pdf
vorrätig: 5010

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Spezifikation

IRLR3714Z Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRLR3714Z Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRLR3714Z

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.55V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D-Pak  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 15A, 10V  
Verlustleistung (max) 35W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 560 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.1 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 37A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRLR3714Z.

Produkteigenschaften IRLR3714Z IRLR3714ZTRPBF IRLR3714 IRLR3714ZPBF
Artikelnummer IRLR3714Z IRLR3714ZTRPBF IRLR3714 IRLR3714ZPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 560 pF @ 10 V 560 pF @ 10 V 670 pF @ 10 V 560 pF @ 10 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.1 nC @ 4.5 V 7.1 nC @ 4.5 V 9.7 nC @ 4.5 V 7.1 nC @ 4.5 V
Paket Tube Tape & Reel (TR) Tube Tube
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 20 V 20 V 20 V
FET-Merkmal - - - -
Supplier Device-Gehäuse D-Pak D-Pak D-Pak D-Pak
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 15A, 10V 15mOhm @ 15A, 10V 20mOhm @ 18A, 10V 15mOhm @ 15A, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 2.55V @ 250µA 2.55V @ 250µA 3V @ 250µA 2.55V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Verlustleistung (max) 35W (Tc) 35W (Tc) 47W (Tc) 35W (Tc)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 37A (Tc) 37A (Tc) 36A (Tc) 37A (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)

IRLR3714Z Datenblatt PDF

Laden Sie IRLR3714Z PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRLR3714Z - Infineon Technologies herunter.

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PCN -Obsoleszenz/ EOL
HiRel EOL 28/Jun/2015.pdf EOL122B 02/Oct/2007.pdf
Datenblätter
IRLR3714Z, IRLU3714Z.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Großbritannien 4
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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