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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRLU014NPBF
Infineon Technologies
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IRLU014NPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRLU014NPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRLU014NPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 10A I-PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Datenblatt
IRL(R,U)014NPbF.pdf
vorrätig: 4730

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Spezifikation

IRLU014NPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRLU014NPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRLU014NPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse I-PAK  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 140mOhm @ 6A, 10V  
Verlustleistung (max) 28W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 265 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.9 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRLU014NPBF.

Produkteigenschaften IRLU014NPBF IRLU024NPBF IRLU024PBF IRLU024N
Artikelnummer IRLU014NPBF IRLU024NPBF IRLU024PBF IRLU024N
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Vishay Siliconix Infineon Technologies
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10A (Tc) 17A (Tc) 14A (Tc) 17A (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
Paket Tube Tube Tube Tube
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4V, 10V 4V, 5V 4V, 10V
FET-Merkmal - - - -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.9 nC @ 5 V 15 nC @ 5 V 18 nC @ 5 V 15 nC @ 5 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (Max) ±16V ±16V ±10V ±16V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V 55 V 60 V 55 V
Supplier Device-Gehäuse I-PAK IPAK (TO-251AA) TO-251AA I-PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs 140mOhm @ 6A, 10V 65mOhm @ 10A, 10V 100mOhm @ 8.4A, 5V 65mOhm @ 10A, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 265 pF @ 25 V 480 pF @ 25 V 870 pF @ 25 V 480 pF @ 25 V
Verlustleistung (max) 28W (Tc) 45W (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) 45W (Tc)
Serie HEXFET® HEXFET® - HEXFET®

IRLU014NPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRLU014NPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRLU014NPBF - Infineon Technologies herunter.

Andere verwandte Dokumente
Part Number Guide.pdf
Datenblätter
IRL(R,U)014NPbF.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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