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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRLU024PBF
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRLU024PBF - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
IRLU024PBF
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-IRLU024PBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 14A TO251AA
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Datenblatt
IRLR024, IRLU024, SiHLR024, SiHLU024.pdf
RoHS Status
vorrätig: 62980

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Spezifikation

IRLU024PBF Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - IRLU024PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - IRLU024PBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±10V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-251AA  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 8.4A, 5V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 42W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 870 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14A (Tc)  
Grundproduktnummer IRLU024  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix IRLU024PBF.

Produkteigenschaften IRLU024PBF IRLU110 IRLU024N IRLU110PBF
Artikelnummer IRLU024PBF IRLU110 IRLU024N IRLU110PBF
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Infineon Technologies Vishay Siliconix
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 8.4A, 5V 540mOhm @ 2.6A, 5V 65mOhm @ 10A, 10V 540mOhm @ 2.6A, 5V
Grundproduktnummer IRLU024 IRLU110 - IRLU110
Serie - - HEXFET® -
Paket Tube Tube Tube Tube
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
FET-Merkmal - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 870 pF @ 25 V 250 pF @ 25 V 480 pF @ 25 V 250 pF @ 25 V
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 42W (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) 45W (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs (Max) ±10V ±10V ±16V ±10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14A (Tc) 4.3A (Tc) 17A (Tc) 4.3A (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 100 V 55 V 100 V
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse TO-251AA TO-251AA I-PAK TO-251AA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 5 V 6.1 nC @ 5 V 15 nC @ 5 V 6.1 nC @ 5 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V 4V, 5V 4V, 10V 4V, 5V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

IRLU024PBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRLU024PBF PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für IRLU024PBF - Vishay Siliconix herunter.

PCN -Baugruppe/Herkunft
IRFU/SIH 21/Oct/2016.pdf
Datenblätter
IRLR024, IRLU024, SiHLR024, SiHLU024.pdf

Lieferung

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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