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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRLU024
Vishay Siliconix
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IRLU024 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
IRLU024
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-IRLU024
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 14A TO251AA
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Datenblatt
IRLR024, IRLU024, SiHLR024, SiHLU024.pdf
vorrätig: 3790

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Spezifikation

IRLU024 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - IRLU024 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - IRLU024

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±10V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-251AA  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 8.4A, 5V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 42W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 870 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14A (Tc)  
Grundproduktnummer IRLU024  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix IRLU024.

Produkteigenschaften IRLU024 IRLU014PBF IRLU024N IRLU024ZPBF
Artikelnummer IRLU024 IRLU014PBF IRLU024N IRLU024ZPBF
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Infineon Technologies Infineon Technologies
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 42W (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) 45W (Tc) 35W (Tc)
Serie - - HEXFET® HEXFET®
Supplier Device-Gehäuse TO-251AA TO-251AA I-PAK I-PAK
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 60 V 55 V 55 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V 4V, 5V 4V, 10V 4.5V, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 5 V 8.4 nC @ 5 V 15 nC @ 5 V 9.9 nC @ 5 V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Grundproduktnummer IRLU024 IRLU014 - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 8.4A, 5V 200mOhm @ 4.6A, 5V 65mOhm @ 10A, 10V 58mOhm @ 9.6A, 10V
Vgs (Max) ±10V ±10V ±16V ±16V
FET-Merkmal - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 3V @ 250µA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 870 pF @ 25 V 400 pF @ 25 V 480 pF @ 25 V 380 pF @ 25 V
Paket Tube Tube Tube Tube
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14A (Tc) 7.7A (Tc) 17A (Tc) 16A (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)

IRLU024 Datenblatt PDF

Laden Sie IRLU024 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für IRLU024 - Vishay Siliconix herunter.

Datenblätter
IRLR024, IRLU024, SiHLR024, SiHLU024.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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