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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRLU110
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRLU110 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
IRLU110
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-IRLU110
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 4.3A TO251AA
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Datenblatt
IRLR110, IRLU110, SiHLR110, SiHLU110.pdf
vorrätig: 3790

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Spezifikation

IRLU110 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - IRLU110 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - IRLU110

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±10V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-251AA  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 540mOhm @ 2.6A, 5V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 25W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 250 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.1 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.3A (Tc)  
Grundproduktnummer IRLU110  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix IRLU110.

Produkteigenschaften IRLU110 IRLU2703 IRLU024 IRLU014NPBF
Artikelnummer IRLU110 IRLU2703 IRLU024 IRLU014NPBF
Hersteller Vishay Siliconix Infineon Technologies Vishay Siliconix Infineon Technologies
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±10V ±16V ±10V ±16V
Supplier Device-Gehäuse TO-251AA I-PAK TO-251AA I-PAK
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 25W (Tc) 45W (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) 28W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 540mOhm @ 2.6A, 5V 45mOhm @ 14A, 10V 100mOhm @ 8.4A, 5V 140mOhm @ 6A, 10V
Paket Tube Tube Tube Tube
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 250 pF @ 25 V 450 pF @ 25 V 870 pF @ 25 V 265 pF @ 25 V
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.3A (Tc) 23A (Tc) 14A (Tc) 10A (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie - HEXFET® - HEXFET®
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 1V @ 250µA 2V @ 250µA 1V @ 250µA
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Grundproduktnummer IRLU110 - IRLU024 -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 30 V 60 V 55 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V 4.5V, 10V 4V, 5V 4.5V, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.1 nC @ 5 V 15 nC @ 4.5 V 18 nC @ 5 V 7.9 nC @ 5 V

IRLU110 Datenblatt PDF

Laden Sie IRLU110 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für IRLU110 - Vishay Siliconix herunter.

Datenblätter
IRLR110, IRLU110, SiHLR110, SiHLU110.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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