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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRLU2703PBF
Infineon Technologies
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IRLU2703PBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRLU2703PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRLU2703PBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 23A IPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Datenblatt
IRLU2703PBF.pdf
vorrätig: 4820

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Anzahl

Spezifikation

IRLU2703PBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRLU2703PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRLU2703PBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse IPAK (TO-251AA)  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 14A, 10V  
Verlustleistung (max) 45W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 450 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 23A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRLU2703PBF.

Produkteigenschaften IRLU2703PBF IRLU2703 IRLU2905Z IRLU120NPBF
Artikelnummer IRLU2703PBF IRLU2703 IRLU2905Z IRLU120NPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 55 V 100 V
Supplier Device-Gehäuse IPAK (TO-251AA) I-PAK I-PAK IPAK (TO-251AA)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 45W (Tc) 45W (Tc) 110W (Tc) 48W (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 14A, 10V 45mOhm @ 14A, 10V 13.5mOhm @ 36A, 10V 185mOhm @ 6A, 10V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4V, 10V
Paket Tube Tube Tube Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 4.5 V 15 nC @ 4.5 V 35 nC @ 5 V 20 nC @ 5 V
FET-Merkmal - - - -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 3V @ 250µA 2V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (Max) ±16V ±16V ±16V ±16V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 23A (Tc) 23A (Tc) 42A (Tc) 10A (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 450 pF @ 25 V 450 pF @ 25 V 1570 pF @ 25 V 440 pF @ 25 V

IRLU2703PBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRLU2703PBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRLU2703PBF - Infineon Technologies herunter.

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