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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRLU2905PBF
Infineon Technologies
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IRLU2905PBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRLU2905PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRLU2905PBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 42A IPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Datenblatt
IRLU2905PBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4830

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Anzahl

Spezifikation

IRLU2905PBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRLU2905PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRLU2905PBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse I-PAK  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 27mOhm @ 25A, 10V  
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1700 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 48 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 42A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRLU2905PBF.

Produkteigenschaften IRLU2905PBF IRLU2905Z IRLU120PBF IRLU2905
Artikelnummer IRLU2905PBF IRLU2905Z IRLU120PBF IRLU2905
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Vishay Siliconix Infineon Technologies
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 48 nC @ 5 V 35 nC @ 5 V 12 nC @ 5 V 48 nC @ 5 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1700 pF @ 25 V 1570 pF @ 25 V 490 pF @ 25 V 1700 pF @ 25 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 42A (Tc) 42A (Tc) 7.7A (Tc) 42A (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V 55 V 100 V 55 V
Paket Tube Tube Tube Tube
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie HEXFET® HEXFET® - HEXFET®
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 3V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Supplier Device-Gehäuse I-PAK I-PAK TO-251AA I-PAK
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs 27mOhm @ 25A, 10V 13.5mOhm @ 36A, 10V 270mOhm @ 4.6A, 5V 27mOhm @ 25A, 10V

IRLU2905PBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRLU2905PBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRLU2905PBF - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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