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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRLU2905Z
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRLU2905Z - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRLU2905Z
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRLU2905Z
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Datenblatt
IRLU2905Z.pdf
vorrätig: 4160

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Anzahl

Spezifikation

IRLU2905Z Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRLU2905Z Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRLU2905Z

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse I-PAK  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.5mOhm @ 36A, 10V  
Verlustleistung (max) 110W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1570 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 42A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRLU2905Z.

Produkteigenschaften IRLU2905Z IRLU2703PBF IRLU2905PBF IRLU3103PBF
Artikelnummer IRLU2905Z IRLU2703PBF IRLU2905PBF IRLU3103PBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 5 V 15 nC @ 4.5 V 48 nC @ 5 V 50 nC @ 4.5 V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 42A (Tc) 23A (Tc) 42A (Tc) 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.5mOhm @ 36A, 10V 45mOhm @ 14A, 10V 27mOhm @ 25A, 10V 19mOhm @ 33A, 10V
Verlustleistung (max) 110W (Tc) 45W (Tc) - 107W (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Vgs (Max) ±16V ±16V - ±16V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1570 pF @ 25 V 450 pF @ 25 V 1700 pF @ 25 V 1600 pF @ 25 V
Paket Tube Tube Tube Bulk
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V 30 V 55 V 30 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) - -55°C ~ 175°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse I-PAK IPAK (TO-251AA) I-PAK IPAK (TO-251AA)
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 1V @ 250µA 2V @ 250µA 1V @ 250µA
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V - -
FET-Merkmal - - - -

IRLU2905Z Datenblatt PDF

Laden Sie IRLU2905Z PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRLU2905Z - Infineon Technologies herunter.

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PCN -Obsoleszenz/ EOL
EOL122B 02/Oct/2007.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Großbritannien 4
Italien 5
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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