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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRLU110ATU
onsemi
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IRLU110ATU - onsemi

Hersteller Artikelnummer
IRLU110ATU
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-IRLU110ATU
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 4.7A I-PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Datenblatt
IRLR/U110A.pdf
vorrätig: 4160

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Spezifikation

IRLU110ATU Tech -Spezifikationen
onsemi - IRLU110ATU Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - IRLU110ATU

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse I-PAK  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 440mOhm @ 2.35A, 5V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 22W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 235 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.7A (Tc)  
Grundproduktnummer IRLU11  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi IRLU110ATU.

Produkteigenschaften IRLU110ATU IRLU024ZPBF IRLU110 IRLU024N
Artikelnummer IRLU110ATU IRLU024ZPBF IRLU110 IRLU024N
Hersteller onsemi Infineon Technologies Vishay Siliconix Infineon Technologies
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8 nC @ 5 V 9.9 nC @ 5 V 6.1 nC @ 5 V 15 nC @ 5 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V 4.5V, 10V 4V, 5V 4V, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Grundproduktnummer IRLU11 - IRLU110 -
Vgs (Max) ±20V ±16V ±10V ±16V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Supplier Device-Gehäuse I-PAK I-PAK TO-251AA I-PAK
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 55 V 100 V 55 V
FET-Merkmal - - - -
Paket Tube Tube Tube Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs 440mOhm @ 2.35A, 5V 58mOhm @ 9.6A, 10V 540mOhm @ 2.6A, 5V 65mOhm @ 10A, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 3V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 22W (Tc) 35W (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) 45W (Tc)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.7A (Tc) 16A (Tc) 4.3A (Tc) 17A (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 235 pF @ 25 V 380 pF @ 25 V 250 pF @ 25 V 480 pF @ 25 V
Serie - HEXFET® - HEXFET®
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

IRLU110ATU Datenblatt PDF

Laden Sie IRLU110ATU PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für IRLU110ATU - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
IRLR/U110A.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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