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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRLU3114ZPBF
Infineon Technologies
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IRLU3114ZPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRLU3114ZPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRLU3114ZPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 42A I-PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Datenblatt
IRLU3114ZPBF.pdf
vorrätig: 4980

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Spezifikation

IRLU3114ZPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRLU3114ZPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRLU3114ZPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±16V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse I-PAK  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.9mOhm @ 42A, 10V  
Verlustleistung (max) 140W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3810 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 56 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 42A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRLU3114ZPBF.

Produkteigenschaften IRLU3114ZPBF IRLU3705ZPBF IRLU3410PBF IRLU3636PBF
Artikelnummer IRLU3114ZPBF IRLU3705ZPBF IRLU3410PBF IRLU3636PBF
Hersteller Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 100µA 3V @ 250µA 2V @ 250µA 2.5V @ 100µA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4V, 10V 4.5V, 10V
FET-Merkmal - - - -
Paket Tube Bulk Tube Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 56 nC @ 4.5 V 66 nC @ 5 V 34 nC @ 5 V 49 nC @ 4.5 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 55 V 100 V 60 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.9mOhm @ 42A, 10V 8mOhm @ 42A, 10V 105mOhm @ 10A, 10V 6.8mOhm @ 50A, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3810 pF @ 25 V 2900 pF @ 25 V 800 pF @ 25 V 3779 pF @ 50 V
Vgs (Max) ±16V ±16V ±16V ±16V
Supplier Device-Gehäuse I-PAK IPAK (TO-251AA) IPAK (TO-251AA) I-PAK
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Verlustleistung (max) 140W (Tc) 130W (Tc) 79W (Tc) 143W (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 42A (Tc) 42A (Tc) 17A (Tc) 50A (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

IRLU3114ZPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRLU3114ZPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRLU3114ZPBF - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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