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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRLZ44ZPBF
IRLZ44ZPBF Image
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IRLZ44ZPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRLZ44ZPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRLZ44ZPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 51A TO220AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
IRLZ44ZPBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 87420

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Anzahl

Spezifikation

IRLZ44ZPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRLZ44ZPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRLZ44ZPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.5mOhm @ 31A, 10V  
Verlustleistung (max) 80W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1620 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 51A (Tc)  
Grundproduktnummer IRLZ44  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRLZ44ZPBF.

Produkteigenschaften IRLZ44ZPBF IRLZ44NSTRR IRLZ44ZLPBF IRLZ44STRRPBF
Artikelnummer IRLZ44ZPBF IRLZ44NSTRR IRLZ44ZLPBF IRLZ44STRRPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Vishay Siliconix
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36 nC @ 5 V 48 nC @ 5 V 36 nC @ 5 V 66 nC @ 5 V
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 2V @ 250µA 3V @ 250µA 2V @ 250µA
Grundproduktnummer IRLZ44 - - IRLZ44
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (Max) ±16V ±16V ±16V ±10V
Paket Tube Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Verlustleistung (max) 80W (Tc) 3.8W (Ta), 110W (Tc) 80W (Tc) 3.7W (Ta), 150W (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1620 pF @ 25 V 1700 pF @ 25 V 1620 pF @ 25 V 3300 pF @ 25 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V 55 V 55 V 60 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.5mOhm @ 31A, 10V 22mOhm @ 25A, 10V 13.5mOhm @ 31A, 10V 28mOhm @ 31A, 5V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 51A (Tc) 47A (Tc) 51A (Tc) 50A (Tc)
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB D2PAK TO-262 D²PAK (TO-263)
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Through Hole Surface Mount
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4V, 10V 4.5V, 10V 4V, 5V
FET-Merkmal - - - -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

IRLZ44ZPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRLZ44ZPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRLZ44ZPBF - Infineon Technologies herunter.

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