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IRS2011PBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRS2011PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRS2011PBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP
Verpackung
8-DIP (0.300', 7.62mm)
Datenblatt
IRS2011PBF Datasheet.pdf
RoHS Status
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 24761

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Spezifikation

IRS2011PBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRS2011PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRS2011PBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
Spannungsversorgung 10V ~ 20V  
Supplier Device-Gehäuse 8-PDIP  
Serie -  
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 25ns, 15ns  
Verpackung / Gehäuse 8-DIP (0.300', 7.62mm)  
Paket Tube  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Anzahl der Treiber 2  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Through Hole  
Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 2.7V  
Eingabetyp Inverting  
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 200 V  
Gate-Typ N-Channel MOSFET  
Angetriebene Konfiguration Half-Bridge  
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 1A, 1A  
Ladestrom Independent  
Grundproduktnummer IRS2011  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8542.39.0001

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRS2011PBF.

Produkteigenschaften IRS2011PBF IRS2005STRPBF IRS2004STRPBF IRS2008STRPBF
Artikelnummer IRS2011PBF IRS2005STRPBF IRS2004STRPBF IRS2008STRPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 2.7V 0.8V, 2.5V 0.8V, 2.5V 0.8V, 2.5V
Eingabetyp Inverting Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting
Supplier Device-Gehäuse 8-PDIP 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Anzahl der Treiber 2 2 2 2
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Gate-Typ N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 200 V 200 V 200 V 200 V
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 1A, 1A 290mA, 600mA 290mA, 600mA 290mA, 600mA
Spannungsversorgung 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V
Verpackung / Gehäuse 8-DIP (0.300', 7.62mm) 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Ladestrom Independent Independent Synchronous Synchronous
Serie - - - -
Paket Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Grundproduktnummer IRS2011 IRS2005 IRS2004 IRS2008
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 25ns, 15ns 70ns, 30ns 70ns, 35ns 70ns, 30ns
Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge

IRS2011PBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRS2011PBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRS2011PBF - Infineon Technologies herunter.

Andere verwandte Dokumente
Part Number Guide.pdf
HTML -Datenblatt
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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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  1. Telefon
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