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ZuhauseProdukteIntegrierte schaltkreise (ICS)PMIC-Gate-TreiberIRS2008SPBF
IRS2008SPBF Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRS2008SPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRS2008SPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRS2008SPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
IRS2008SPBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 51210

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Anzahl

Spezifikation

IRS2008SPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRS2008SPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRS2008SPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
Spannungsversorgung 10V ~ 20V  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie -  
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 70ns, 30ns  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tube  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Anzahl der Treiber 2  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 2.5V  
Eingabetyp Non-Inverting  
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 200 V  
Gate-Typ N-Channel MOSFET  
Angetriebene Konfiguration Half-Bridge  
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 290mA, 600mA  
Ladestrom Synchronous  
Grundproduktnummer IRS2008  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRS2008SPBF.

Produkteigenschaften IRS2008SPBF IRS2005STRPBF IRS2008STRPBF IRS2005MTRPBF
Artikelnummer IRS2008SPBF IRS2005STRPBF IRS2008STRPBF IRS2005MTRPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 200 V 200 V 200 V 200 V
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 14-VFQFN Exposed Pad
Serie - - - -
Anzahl der Treiber 2 2 2 2
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 70ns, 30ns 70ns, 30ns 70ns, 30ns 70ns, 30ns
Paket Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge
Gate-Typ N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 290mA, 600mA 290mA, 600mA 290mA, 600mA 290mA, 600mA
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 14-MLPQ (4x4)
Grundproduktnummer IRS2008 IRS2005 IRS2008 IRS2005
Ladestrom Synchronous Independent Synchronous Independent
Eingabetyp Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting
Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 2.5V 0.8V, 2.5V 0.8V, 2.5V 0.8V, 2.5V
Spannungsversorgung 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

IRS2008SPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRS2008SPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRS2008SPBF - Infineon Technologies herunter.

PCN -Design/Spezifikation
Mult Dev Label Chgs Aug/2020.pdf Mult Dev Lot Chgs 25/May/2021.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Process Chg 1/Sep/2021.pdf
PCN -Verpackung
Mult Dev Tube Pkg Std 27/Dec/2018.pdf
HTML -Datenblatt
IRS2008SPBF.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 9/Mar/2023.pdf

Lieferung

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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32D-IRS2008SPBF

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