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IRS2011STRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRS2011STRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRS2011STRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154', 3.90mm Width)
Datenblatt
IRS2011PBF Datasheet.pdf
RoHS Status
vorrätig: 31911

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Anzahl

Spezifikation

IRS2011STRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRS2011STRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRS2011STRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
Spannungsversorgung 10V ~ 20V  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie -  
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 25ns, 15ns  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Anzahl der Treiber 2  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Logikspannung - VIL, VIH 0.7V, 2.5V  
Eingabetyp Inverting  
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 200 V  
Gate-Typ N-Channel MOSFET  
Angetriebene Konfiguration Half-Bridge  
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 1A, 1A  
Ladestrom Independent  
Grundproduktnummer IRS2011  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRS2011STRPBF.

Produkteigenschaften IRS2011STRPBF IRS2008SPBF IRS2011SPBF IRS2011PBF
Artikelnummer IRS2011STRPBF IRS2008SPBF IRS2011SPBF IRS2011PBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 25ns, 15ns 70ns, 30ns 25ns, 15ns 25ns, 15ns
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-PDIP
Serie - - - -
Logikspannung - VIL, VIH 0.7V, 2.5V 0.8V, 2.5V 0.8V, 2.7V 0.8V, 2.7V
Grundproduktnummer IRS2011 IRS2008 IRS2011 IRS2011
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 1A, 1A 290mA, 600mA 1A, 1A 1A, 1A
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Spannungsversorgung 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V
Eingabetyp Inverting Non-Inverting Inverting Inverting
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) 8-DIP (0.300', 7.62mm)
Ladestrom Independent Synchronous Independent Independent
Paket Tape & Reel (TR) Tube Tube Tube
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge
Anzahl der Treiber 2 2 2 2
Gate-Typ N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 200 V 200 V 200 V 200 V

IRS2011STRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRS2011STRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRS2011STRPBF - Infineon Technologies herunter.

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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