Spezifikation
FQNL2N50BTA Tech -Spezifikationen
Fairchild Semiconductor - FQNL2N50BTA Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Fairchild Semiconductor - FQNL2N50BTA
| Produkteigenschaften |
Eigenschaften
| |
| Hersteller |
Fairchild (onsemi) |
|
| VGS (th) (Max) @ Id |
3.7V @ 250µA |
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| Vgs (Max) |
±30V |
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| Technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
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| Supplier Device-Gehäuse |
TO-92-3 |
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| Serie |
QFET® |
|
| Rds On (Max) @ Id, Vgs |
5.3Ohm @ 175mA, 10V |
|
| Verlustleistung (max) |
1.5W (Tc) |
|
| Verpackung / Gehäuse |
TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) |
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| Paket |
Bulk |
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| Produkteigenschaften |
Eigenschaften
| |
| Betriebstemperatur |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
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| Befestigungsart |
Through Hole |
|
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
230 pF @ 25 V |
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| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs |
8 nC @ 10 V |
|
| Typ FET |
N-Channel |
|
| FET-Merkmal |
- |
|
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) |
10V |
|
| Drain-Source-Spannung (Vdss) |
500 V |
|
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C |
350mA (Tc) |
|
| Grundproduktnummer |
FQNL2 |
|
Lieferung
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| Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder |
| Region |
Land |
Logistische Zeit (Tag) |
| Amerika |
Vereinigte Staaten |
5 |
| Brasilien |
7 |
| Europa |
Deutschland |
5 |
| Großbritannien |
4 |
| Italien |
5 |
| Ozeanien |
Australien |
6 |
| Neuseeland |
5 |
| Asien |
Indien |
4 |
| Japan |
4 |
| Naher Osten |
Israel |
6 |
| DHL & FedEx -Versandkosten Referenz |
| Versandkosten (KG) |
Referenz DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg |
USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg |
USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg |
USD$50.00 - USD$100.00 |
- Notiz:
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FQN1N50CTAonsemiMOSFET N-CH 500V 380MA TO92-3
DMN6140L-7Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 60V 1.6A SOT-23
IRF9510SPBFVishay SiliconixMOSFET P-CH 100V 4A D2PAK
FQA13N80onsemiMOSFET N-CH 800V 12.6A TO3PN
IRFR3518TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 80V 38A DPAK
SIHG47N65E-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 650V 47A TO247AC
IRF9520SPBFVishay SiliconixMOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK