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Nordamerika
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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFQN1N50CTA
FQN1N50CTA Image
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FQN1N50CTA - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FQN1N50CTA
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FQN1N50CTA
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 380MA TO92-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Datenblatt
FQN1N50C.pdf
RoHS Status
vorrätig: 137730

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Anzahl

Spezifikation

FQN1N50CTA Tech -Spezifikationen
onsemi - FQN1N50CTA Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FQN1N50CTA

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-92-3  
Serie QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6Ohm @ 190mA, 10V  
Verlustleistung (max) 890mW (Ta), 2.08W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads  
Paket Cut Tape (CT)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 195 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.4 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 380mA (Tc)  
Grundproduktnummer FQN1N50  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FQN1N50CTA.

Produkteigenschaften FQN1N50CTA FQN1N50CTA FDP75N08A FQN1N60CTA
Artikelnummer FQN1N50CTA FQN1N50CTA FDP75N08A FQN1N60CTA
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.4 nC @ 10 V 6.4 nC @ 10 V 104 nC @ 10 V 6.2 nC @ 10 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6Ohm @ 190mA, 10V 6Ohm @ 190mA, 10V 11mOhm @ 37.5A, 10V 11.5Ohm @ 150mA, 10V
Supplier Device-Gehäuse TO-92-3 TO-92-3 TO-220-3 TO-92-3
Grundproduktnummer FQN1N50 - FDP75 -
Paket Cut Tape (CT) Bulk Tube Bulk
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Verpackung / Gehäuse TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads TO-220-3 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie QFET® QFET® UniFET™ QFET®
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verlustleistung (max) 890mW (Ta), 2.08W (Tc) 890mW (Ta), 2.08W (Tc) 137W (Tc) 1W (Ta), 3W (Tc)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 380mA (Tc) 380mA (Tc) 75A (Tc) 300mA (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 195 pF @ 25 V 195 pF @ 25 V 4468 pF @ 25 V 170 pF @ 25 V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (Max) ±30V ±30V ±20V ±30V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V 500 V 75 V 600 V
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

FQN1N50CTA Datenblatt PDF

Laden Sie FQN1N50CTA PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FQN1N50CTA - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf Drawing Update 18/Apr/2021.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 30/Mar/2023.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Wafer Fab 28/Jul/2021.pdf
Datenblätter
FQN1N50C.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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FQN1N50CTA

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