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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFQNL2N50BTA
onsemi
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FQNL2N50BTA - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FQNL2N50BTA
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FQNL2N50BTA
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 350MA TO92-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Datenblatt
FQNL2N50BTA.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4430

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Anzahl

Spezifikation

FQNL2N50BTA Tech -Spezifikationen
onsemi - FQNL2N50BTA Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FQNL2N50BTA

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 3.7V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-92-3  
Serie QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.3Ohm @ 175mA, 10V  
Verlustleistung (max) 1.5W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)  
Paket Cut Tape (CT)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 230 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 350mA (Tc)  
Grundproduktnummer FQNL2  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FQNL2N50BTA.

Produkteigenschaften FQNL2N50BTA FQN1N50CTA IXTP60N10T STW3N170
Artikelnummer FQNL2N50BTA FQN1N50CTA IXTP60N10T STW3N170
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor IXYS STMicroelectronics
VGS (th) (Max) @ Id 3.7V @ 250µA 4V @ 250µA 4.5V @ 50µA 5V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse TO-92-3 TO-92-3 TO-220-3 TO-247-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.3Ohm @ 175mA, 10V 6Ohm @ 190mA, 10V 18mOhm @ 25A, 10V 13Ohm @ 1.3A, 10V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8 nC @ 10 V 6.4 nC @ 10 V 49 nC @ 10 V 44 nC @ 10 V
Paket Cut Tape (CT) Bulk Tube Tube
Verpackung / Gehäuse TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads TO-220-3 TO-247-3
Verlustleistung (max) 1.5W (Tc) 890mW (Ta), 2.08W (Tc) 176W (Tc) 160mW
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Serie QFET® QFET® Trench PowerMESH™
FET-Merkmal - - - -
Grundproduktnummer FQNL2 - IXTP60 STW3N170
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 350mA (Tc) 380mA (Tc) 60A (Tc) 2.6A (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V 500 V 100 V 1700 V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 230 pF @ 25 V 195 pF @ 25 V 2650 pF @ 25 V 1100 pF @ 100 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

FQNL2N50BTA Datenblatt PDF

Laden Sie FQNL2N50BTA PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FQNL2N50BTA - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 09/Oct/2020.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Assembly/Mold Chg 20/Mar/2019.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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