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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-RFA2T18S162W31GSR3
NXP Semiconductors / Freescale
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

A2T18S162W31GSR3 - NXP Semiconductors / Freescale

Hersteller Artikelnummer
A2T18S162W31GSR3
Hersteller
NXP Semiconductors
Allelco Artikelnummer
32D-A2T18S162W31GSR3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IC TRANS RF LDMOS
detaillierte Beschreibung
Verpackung
NI-780GS-2L2LA
Datenblatt
RF Products Selector Guide.pdf
A2T18S162W31(G)SR3.pdf
RoHS Status
Bleifrei / RoHS-konform
vorrätig: 349

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Spezifikation

A2T18S162W31GSR3 Tech -Spezifikationen
NXP Semiconductors / Freescale - A2T18S162W31GSR3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie NXP Semiconductors / Freescale - A2T18S162W31GSR3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller NXP Semiconductors  
Spannung - Prüfung 28V  
Spannung - Nennwert 65V  
Transistor-Typ LDMOS  
Supplier Device-Gehäuse NI-780GS-2L2LA  
Serie -  
Leistung 32W  
Verpackung Tape & Reel (TR)  
Verpackung / Gehäuse NI-780GS-2L2LA  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Andere Namen 935322254128  
Rauschmaß -  
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)  
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant  
Gewinnen 20.1dB  
Frequenz 1.84GHz  
detaillierte Beschreibung RF Mosfet LDMOS 28V 1A 1.84GHz 20.1dB 32W NI-780GS-2L2LA  
Aktuelle Bewertung -  
Strom - Test 1A  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie NXP Semiconductors / Freescale A2T18S162W31GSR3.

Produkteigenschaften A2T18S162W31GSR3 A2T18S262W12NR3 A2T18H100-25SR3 A2T20H330W24SR6
Artikelnummer A2T18S162W31GSR3 A2T18S262W12NR3 A2T18H100-25SR3 A2T20H330W24SR6
Hersteller NXP Semiconductors / Freescale NXP Semiconductors / Freescale NXP USA Inc. NXP Semiconductors / Freescale
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant - - Lead free / RoHS Compliant
Verpackung / Gehäuse NI-780GS-2L2LA OM-880X-2L2L NI-780-4S4 NI-1230-4LS2L
Gewinnen 20.1dB 19.3dB 18.1dB 16.5dB
Frequenz 1.84GHz 1.805GHz ~ 1.88GHz 1.81GHz 1.88GHz
Spannung - Nennwert 65V 65V 65 V 65V
Aktuelle Bewertung - 10µA - -
Rauschmaß - - - -
Strom - Test 1A 1.6A 230 mA 700mA
Spannung - Prüfung 28V 28V 28 V 28V
Andere Namen 935322254128 935346497528 - 935320763128
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) 3 (168 Hours) - 1 (Unlimited)
Verpackung Tape & Reel (TR) - - Tape & Reel (TR)
detaillierte Beschreibung RF Mosfet LDMOS 28V 1A 1.84GHz 20.1dB 32W NI-780GS-2L2LA RF Mosfet LDMOS 28V 1.6A 1.805GHz ~ 1.88GHz 19.3dB 231W OM-880X-2L2L - RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 700mA 1.88GHz 16.5dB 58W NI-1230-4LS2L
Leistung 32W 231W 18W 58W
Transistor-Typ LDMOS LDMOS - LDMOS (Dual)
Supplier Device-Gehäuse NI-780GS-2L2LA OM-880X-2L2L NI-780-4S4 NI-1230-4LS2L
Serie - - - -

A2T18S162W31GSR3 Datenblatt PDF

Laden Sie A2T18S162W31GSR3 PDF -Datenblätter und NXP Semiconductors / Freescale -Dokumentation für A2T18S162W31GSR3 - NXP Semiconductors / Freescale herunter.

Datenblätte
RF Products Selector Guide.pdf A2T18S162W31(G)SR3.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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