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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-RFA2T18S262W12NR3
NXP Semiconductors / Freescale
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

A2T18S262W12NR3 - NXP Semiconductors / Freescale

Hersteller Artikelnummer
A2T18S262W12NR3
Hersteller
NXP Semiconductors
Allelco Artikelnummer
32D-A2T18S262W12NR3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
detaillierte Beschreibung
Verpackung
OM-880X-2L2L
Datenblatt
A2T18S262W12NR3.pdf
vorrätig: 600

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Spezifikation

A2T18S262W12NR3 Tech -Spezifikationen
NXP Semiconductors / Freescale - A2T18S262W12NR3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie NXP Semiconductors / Freescale - A2T18S262W12NR3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller NXP Semiconductors  
Spannung - Prüfung 28V  
Spannung - Nennwert 65V  
Transistor-Typ LDMOS  
Supplier Device-Gehäuse OM-880X-2L2L  
Serie -  
Leistung 231W  
Verpackung / Gehäuse OM-880X-2L2L  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Andere Namen 935346497528  
Rauschmaß -  
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 3 (168 Hours)  
Gewinnen 19.3dB  
Frequenz 1.805GHz ~ 1.88GHz  
detaillierte Beschreibung RF Mosfet LDMOS 28V 1.6A 1.805GHz ~ 1.88GHz 19.3dB 231W OM-880X-2L2L  
Aktuelle Bewertung 10µA  
Strom - Test 1.6A  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie NXP Semiconductors / Freescale A2T18S262W12NR3.

Produkteigenschaften A2T18S262W12NR3 AFT05MS003NT1 A2T27S020GNR1 A2T09D400-23NR6
Artikelnummer A2T18S262W12NR3 AFT05MS003NT1 A2T27S020GNR1 A2T09D400-23NR6
Hersteller NXP Semiconductors / Freescale NXP USA Inc. NXP USA Inc. NXP USA Inc.
Supplier Device-Gehäuse OM-880X-2L2L SOT-89A TO-270-2 GULL OM-1230-4L2S
Strom - Test 1.6A 100 mA 185 mA 1.2 A
Spannung - Prüfung 28V 7.5 V 28 V 28 V
Transistor-Typ LDMOS - - -
Verpackung / Gehäuse OM-880X-2L2L TO-243AA TO-270BA OM-1230-4L2S
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 3 (168 Hours) - - -
Andere Namen 935346497528 - - -
Aktuelle Bewertung 10µA - - -
Rauschmaß - - - -
Frequenz 1.805GHz ~ 1.88GHz 520MHz 400MHz ~ 2.7GHz 716MHz ~ 960MHz
Spannung - Nennwert 65V 30 V 65 V 70 V
Gewinnen 19.3dB 20.8dB 21dB 17.8dB
detaillierte Beschreibung RF Mosfet LDMOS 28V 1.6A 1.805GHz ~ 1.88GHz 19.3dB 231W OM-880X-2L2L - - -
Leistung 231W 3W 20W 400W
Serie - - - -

A2T18S262W12NR3 Datenblatt PDF

Laden Sie A2T18S262W12NR3 PDF -Datenblätter und NXP Semiconductors / Freescale -Dokumentation für A2T18S262W12NR3 - NXP Semiconductors / Freescale herunter.

Datenblätte
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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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