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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-RFA2T18S165-12SR3
NXP Semiconductors / Freescale
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A2T18S165-12SR3 - NXP Semiconductors / Freescale

Hersteller Artikelnummer
A2T18S165-12SR3
Hersteller
NXP Semiconductors
Allelco Artikelnummer
32D-A2T18S165-12SR3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
detaillierte Beschreibung
Verpackung
NI-780S-2L2L
Datenblatt
A2T18S165-12SR3.pdf
vorrätig: 518

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Spezifikation

A2T18S165-12SR3 Tech -Spezifikationen
NXP Semiconductors / Freescale - A2T18S165-12SR3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie NXP Semiconductors / Freescale - A2T18S165-12SR3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller NXP Semiconductors  
Spannung - Prüfung 28V  
Spannung - Nennwert 65V  
Transistor-Typ LDMOS  
Supplier Device-Gehäuse NI-780S-2L2L  
Serie -  
Leistung 148W  
Verpackung / Gehäuse NI-780S-2L2L  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Andere Namen 935316365128  
Rauschmaß -  
Gewinnen 18dB  
Frequenz 1.805GHz ~ 1.995GHz  
detaillierte Beschreibung RF Mosfet LDMOS 28V 800mA 1.805GHz ~ 1.995GHz 18dB 148W NI-780S-2L2L  
Aktuelle Bewertung 10µA  
Strom - Test 800mA  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie NXP Semiconductors / Freescale A2T18S165-12SR3.

Produkteigenschaften A2T18S165-12SR3 A2T18H410-24SR6 A2T18H100-25SR3 A2T23H300-24SR6
Artikelnummer A2T18S165-12SR3 A2T18H410-24SR6 A2T18H100-25SR3 A2T23H300-24SR6
Hersteller NXP Semiconductors / Freescale NXP USA Inc. NXP USA Inc. NXP USA Inc.
Andere Namen 935316365128 - - -
Spannung - Prüfung 28V 28 V 28 V 28 V
Supplier Device-Gehäuse NI-780S-2L2L NI-1230-4LS2L NI-780-4S4 NI-1230-4LS2L
Serie - - - -
Gewinnen 18dB 17.4dB 18.1dB 14.9dB
Frequenz 1.805GHz ~ 1.995GHz 1.81GHz 1.81GHz 2.3GHz
Transistor-Typ LDMOS - - -
Verpackung / Gehäuse NI-780S-2L2L NI-1230-4LS2L NI-780-4S4 NI-1230-4LS2L
Rauschmaß - - - -
Aktuelle Bewertung 10µA - - -
Strom - Test 800mA 800 mA 230 mA 750 mA
Spannung - Nennwert 65V 65 V 65 V 65 V
Leistung 148W 71W 18W 66W
detaillierte Beschreibung RF Mosfet LDMOS 28V 800mA 1.805GHz ~ 1.995GHz 18dB 148W NI-780S-2L2L - - -

A2T18S165-12SR3 Datenblatt PDF

Laden Sie A2T18S165-12SR3 PDF -Datenblätter und NXP Semiconductors / Freescale -Dokumentation für A2T18S165-12SR3 - NXP Semiconductors / Freescale herunter.

Datenblätte
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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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A2T18S165-12SR3

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