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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-RFA2T18S260W12NR3
NXP Semiconductors / Freescale
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

A2T18S260W12NR3 - NXP Semiconductors / Freescale

Hersteller Artikelnummer
A2T18S260W12NR3
Hersteller
NXP Semiconductors
Allelco Artikelnummer
32D-A2T18S260W12NR3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
detaillierte Beschreibung
Verpackung
OM-880X-2L2L
Datenblatt
A2T18S260W12NR3.pdf
vorrätig: 245

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Spezifikation

A2T18S260W12NR3 Tech -Spezifikationen
NXP Semiconductors / Freescale - A2T18S260W12NR3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie NXP Semiconductors / Freescale - A2T18S260W12NR3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller NXP Semiconductors  
Spannung - Prüfung 28V  
Spannung - Nennwert 65V  
Transistor-Typ LDMOS  
Supplier Device-Gehäuse OM-880X-2L2L  
Serie -  
Leistung 280W  
Verpackung / Gehäuse OM-880X-2L2L  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Andere Namen 935313167528  
Rauschmaß -  
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 3 (168 Hours)  
Gewinnen 18.7dB  
Frequenz 1.805GHz ~ 1.88GHz  
detaillierte Beschreibung RF Mosfet LDMOS 28V 1.5A 1.805GHz ~ 1.88GHz 18.7dB 280W OM-880X-2L2L  
Aktuelle Bewertung 10µA  
Strom - Test 1.5A  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie NXP Semiconductors / Freescale A2T18S260W12NR3.

Produkteigenschaften A2T18S260W12NR3 A2T18H100-25SR3 A2T21H410-24SR6 A2T18S262W12NR3
Artikelnummer A2T18S260W12NR3 A2T18H100-25SR3 A2T21H410-24SR6 A2T18S262W12NR3
Hersteller NXP Semiconductors / Freescale NXP USA Inc. NXP Semiconductors / Freescale NXP Semiconductors / Freescale
Rauschmaß - - - -
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 3 (168 Hours) - 1 (Unlimited) 3 (168 Hours)
detaillierte Beschreibung RF Mosfet LDMOS 28V 1.5A 1.805GHz ~ 1.88GHz 18.7dB 280W OM-880X-2L2L - RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 600mA 2.17GHz 15.6dB 72W NI-1230-4LS2L RF Mosfet LDMOS 28V 1.6A 1.805GHz ~ 1.88GHz 19.3dB 231W OM-880X-2L2L
Verpackung / Gehäuse OM-880X-2L2L NI-780-4S4 NI-1230-4LS2L OM-880X-2L2L
Frequenz 1.805GHz ~ 1.88GHz 1.81GHz 2.17GHz 1.805GHz ~ 1.88GHz
Gewinnen 18.7dB 18.1dB 15.6dB 19.3dB
Serie - - - -
Andere Namen 935313167528 - 935312756128 935346497528
Aktuelle Bewertung 10µA - - 10µA
Spannung - Prüfung 28V 28 V 28V 28V
Spannung - Nennwert 65V 65 V 65V 65V
Transistor-Typ LDMOS - LDMOS (Dual) LDMOS
Supplier Device-Gehäuse OM-880X-2L2L NI-780-4S4 NI-1230-4LS2L OM-880X-2L2L
Strom - Test 1.5A 230 mA 600mA 1.6A
Leistung 280W 18W 72W 231W

A2T18S260W12NR3 Datenblatt PDF

Laden Sie A2T18S260W12NR3 PDF -Datenblätter und NXP Semiconductors / Freescale -Dokumentation für A2T18S260W12NR3 - NXP Semiconductors / Freescale herunter.

Datenblätte
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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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