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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFE34N100
IXYS
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IXFE34N100 - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFE34N100
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFE34N100
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 30A SOT227B
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-227-4, miniBLOC
Datenblatt
IXFE(36,34)N100.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4190

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Spezifikation

IXFE34N100 Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFE34N100 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFE34N100

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 5.5V @ 8mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-227B  
Serie HiPerFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 17A, 10V  
Verlustleistung (max) 580W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC  
Paket Box  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Chassis Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 15000 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 455 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1000 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 30A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFE34  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFE34N100.

Produkteigenschaften IXFE34N100 IXFE73N30Q IXFE48N50QD2 IXFE48N50Q
Artikelnummer IXFE34N100 IXFE73N30Q IXFE48N50QD2 IXFE48N50Q
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 30A (Tc) 66A (Tc) 41A (Tc) 41A (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Befestigungsart Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Supplier Device-Gehäuse SOT-227B SOT-227B SOT-227B SOT-227B
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 455 nC @ 10 V 190 nC @ 10 V 190 nC @ 10 V 190 nC @ 10 V
Paket Box Tube Tube Tube
VGS (th) (Max) @ Id 5.5V @ 8mA 4V @ 4mA 4V @ 4mA 4V @ 4mA
Grundproduktnummer IXFE34 IXFE73 IXFE48 IXFE48
Serie HiPerFET™ HiPerFET™, Q Class HiPerFET™, Depletion HiPerFET™, Q Class
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 17A, 10V 46mOhm @ 36.5A, 10V 110mOhm @ 24A, 10V 110mOhm @ 24A, 10V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1000 V 300 V 500 V 500 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 15000 pF @ 25 V 6400 pF @ 25 V 8000 pF @ 25 V 7000 pF @ 25 V
Verlustleistung (max) 580W (Tc) 400W (Tc) 400W (Tc) 400W (Tc)

IXFE34N100 Datenblatt PDF

Laden Sie IXFE34N100 PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFE34N100 - IXYS herunter.

Datenblätter
IXFE(36,34)N100.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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