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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFE73N30Q
IXYS
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IXFE73N30Q - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFE73N30Q
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFE73N30Q
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 300V 66A SOT-227B
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-227-4, miniBLOC
Datenblatt
IXFE73N30Q.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4140

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Anzahl

Spezifikation

IXFE73N30Q Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFE73N30Q Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFE73N30Q

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 4mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-227B  
Serie HiPerFET™, Q Class  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 46mOhm @ 36.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 400W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Chassis Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6400 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 190 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 300 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 66A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFE73  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFE73N30Q.

Produkteigenschaften IXFE73N30Q IXFE44N50QD2 IXFH10N100P IXFH110N15T2
Artikelnummer IXFE73N30Q IXFE44N50QD2 IXFH10N100P IXFH110N15T2
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 190 nC @ 10 V 190 nC @ 10 V 56 nC @ 10 V 150 nC @ 10 V
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC TO-247-3 TO-247-3
Verlustleistung (max) 400W (Tc) 400W (Tc) 380W (Tc) 480W (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Grundproduktnummer IXFE73 IXFE44 IXFH10 IXFH110
Supplier Device-Gehäuse SOT-227B SOT-227B TO-247AD (IXFH) TO-247AD (IXFH)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 300 V 500 V 1000 V 150 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 66A (Tc) 39A (Tc) 10A (Tc) 110A (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6400 pF @ 25 V 8000 pF @ 25 V 3030 pF @ 25 V 8600 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 46mOhm @ 36.5A, 10V 120mOhm @ 22A, 10V 1.4Ohm @ 5A, 10V 13mOhm @ 500mA, 10V
FET-Merkmal - - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Serie HiPerFET™, Q Class HiPerFET™, Depletion HiPerFET™, Polar HiPerFET™, TrenchT2™
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Befestigungsart Chassis Mount Chassis Mount Through Hole Through Hole
Paket Tube Tube Tube Tube
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 4mA 4V @ 4mA 6.5V @ 1mA 4.5V @ 250µA

IXFE73N30Q Datenblatt PDF

Laden Sie IXFE73N30Q PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFE73N30Q - IXYS herunter.

Datenblätter
IXFE73N30Q.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
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DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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