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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFE44N60
IXYS
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IXFE44N60 - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFE44N60
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFE44N60
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 41A SOT-227B
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-227-4, miniBLOC
Datenblatt
IXFE44N60.pdf
vorrätig: 3780

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Spezifikation

IXFE44N60 Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFE44N60 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFE44N60

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 8mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-227B  
Serie HiPerFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130mOhm @ 22A, 10V  
Verlustleistung (max) 500W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Chassis Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 8900 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 330 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 41A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFE44  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFE44N60.

Produkteigenschaften IXFE44N60 IXFC80N08 IXFH110N15T2 IXFE34N100
Artikelnummer IXFE44N60 IXFC80N08 IXFH110N15T2 IXFE34N100
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Befestigungsart Chassis Mount Through Hole Through Hole Chassis Mount
FET-Merkmal - - - -
Paket Tube Tube Tube Box
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 41A (Tc) 80A (Tc) 110A (Tc) 30A (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 330 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V 150 nC @ 10 V 455 nC @ 10 V
Serie HiPerFET™ HiPerFET™ HiPerFET™, TrenchT2™ HiPerFET™
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130mOhm @ 22A, 10V 11mOhm @ 40A, 10V 13mOhm @ 500mA, 10V 280mOhm @ 17A, 10V
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC ISOPLUS220™ TO-247-3 SOT-227-4, miniBLOC
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 8900 pF @ 25 V 4800 pF @ 25 V 8600 pF @ 25 V 15000 pF @ 25 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 80 V 150 V 1000 V
Supplier Device-Gehäuse SOT-227B ISOPLUS220™ TO-247AD (IXFH) SOT-227B
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verlustleistung (max) 500W (Tc) 230W (Tc) 480W (Tc) 580W (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 8mA 4V @ 4mA 4.5V @ 250µA 5.5V @ 8mA
Grundproduktnummer IXFE44 IXFC80N08 IXFH110 IXFE34

IXFE44N60 Datenblatt PDF

Laden Sie IXFE44N60 PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFE44N60 - IXYS herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Devices OBS 24/Feb/2014.pdf
Datenblätter
IXFE44N60.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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