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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFE36N100
IXYS
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IXFE36N100 - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFE36N100
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFE36N100
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 33A SOT227B
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-227-4, miniBLOC
Datenblatt
IXFE(36,34)N100.pdf
vorrätig: 3960

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Spezifikation

IXFE36N100 Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFE36N100 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFE36N100

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 5.5V @ 8mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-227B  
Serie HiPerFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 240mOhm @ 18A, 10V  
Verlustleistung (max) 580W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Chassis Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 15000 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 455 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1000 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 33A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFE36  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFE36N100.

Produkteigenschaften IXFE36N100 IXFE44N50QD3 IXFE180N10 IXFE48N50Q
Artikelnummer IXFE36N100 IXFE44N50QD3 IXFE180N10 IXFE48N50Q
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Serie HiPerFET™ HiPerFET™, Depletion HiPerFET™ HiPerFET™, Q Class
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Paket Tube Tube Tube Tube
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 15000 pF @ 25 V 8000 pF @ 25 V 9100 pF @ 25 V 7000 pF @ 25 V
Supplier Device-Gehäuse SOT-227B SOT-227B SOT-227B SOT-227B
Befestigungsart Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1000 V 500 V 100 V 500 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 5.5V @ 8mA 4V @ 4mA 4V @ 8mA 4V @ 4mA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 33A (Tc) 39A (Tc) 176A (Tc) 41A (Tc)
Verlustleistung (max) 580W (Tc) 400W (Tc) 500W (Tc) 400W (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
Rds On (Max) @ Id, Vgs 240mOhm @ 18A, 10V 120mOhm @ 22A, 10V 8mOhm @ 90A, 10V 110mOhm @ 24A, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 455 nC @ 10 V 190 nC @ 10 V 360 nC @ 10 V 190 nC @ 10 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Grundproduktnummer IXFE36 IXFE44 IXFE180 IXFE48

IXFE36N100 Datenblatt PDF

Laden Sie IXFE36N100 PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFE36N100 - IXYS herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Devices OBS 24/Feb/2014.pdf
Datenblätter
IXFE(36,34)N100.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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