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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFH102N15T
IXYS
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IXFH102N15T - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFH102N15T
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFH102N15T
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 150V 102A TO247AD
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
IXF(A,H,P)102N15T.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4481

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Spezifikation

IXFH102N15T Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFH102N15T Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFH102N15T

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247AD (IXFH)  
Serie HiPerFET™, Trench  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 500mA, 10V  
Verlustleistung (max) 455W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5220 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 87 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 102A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFH102  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFH102N15T.

Produkteigenschaften IXFH102N15T IXFE48N50QD3 IXFE48N50Q IXFH12N100
Artikelnummer IXFH102N15T IXFE48N50QD3 IXFE48N50Q IXFH12N100
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Paket Tube Tube Tube Tube
Supplier Device-Gehäuse TO-247AD (IXFH) SOT-227B SOT-227B TO-247AD (IXFH)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V 500 V 500 V 1000 V
Grundproduktnummer IXFH102 IXFE48 IXFE48 IXFH12
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 102A (Tc) 41A (Tc) 41A (Tc) 12A (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5220 pF @ 25 V 8000 pF @ 25 V 7000 pF @ 25 V 4000 pF @ 25 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Verlustleistung (max) 455W (Tc) 400W (Tc) 400W (Tc) 300W (Tc)
Serie HiPerFET™, Trench HiPerFET™, Depletion HiPerFET™, Q Class HiPerFET™
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 87 nC @ 10 V 190 nC @ 10 V 190 nC @ 10 V 155 nC @ 10 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC TO-247-3
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA 4V @ 4mA 4V @ 4mA 4.5V @ 4mA
Befestigungsart Through Hole Chassis Mount Chassis Mount Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 500mA, 10V 110mOhm @ 24A, 10V 110mOhm @ 24A, 10V 1.05Ohm @ 6A, 10V
FET-Merkmal - - - -

IXFH102N15T Datenblatt PDF

Laden Sie IXFH102N15T PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFH102N15T - IXYS herunter.

Datenblätter
IXF(A,H,P)102N15T.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
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