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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFK120N20P
IXYS
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IXFK120N20P - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFK120N20P
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFK120N20P
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 120A TO264AA
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-264-3, TO-264AA
Datenblatt
IXF(H,K)120N20P.pdf
RoHS Status
vorrätig: 3726

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Spezifikation

IXFK120N20P Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFK120N20P Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFK120N20P

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 4mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-264AA (IXFK)  
Serie HiPerFET™, Polar  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 500mA, 10V  
Verlustleistung (max) 714W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-264-3, TO-264AA  
Paket Box  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6000 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 152 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 120A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFK120  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFK120N20P.

Produkteigenschaften IXFK120N20P IXFK120N25P IXFK120N25 IXFK150N15
Artikelnummer IXFK120N20P IXFK120N25P IXFK120N25 IXFK150N15
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Grundproduktnummer IXFK120 IXFK120 IXFK120 IXFK150
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Paket Box Tube Tube Tube
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Verlustleistung (max) 714W (Tc) 700W (Tc) 560W (Tc) 560W (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Verpackung / Gehäuse TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V 250 V 250 V 150 V
Serie HiPerFET™, Polar HiPerFET™, Polar HiPerFET™ HiPerFET™
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6000 pF @ 25 V 8000 pF @ 25 V 9400 pF @ 25 V 9100 pF @ 25 V
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 4mA 5V @ 4mA 4V @ 8mA 4V @ 8mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 152 nC @ 10 V 185 nC @ 10 V 400 nC @ 10 V 360 nC @ 10 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 120A (Tc) 120A (Tc) 120A (Tc) 150A (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 500mA, 10V 24mOhm @ 60A, 10V 22mOhm @ 500mA, 10V 12.5mOhm @ 75A, 10V
FET-Merkmal - - - -
Supplier Device-Gehäuse TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK)

IXFK120N20P Datenblatt PDF

Laden Sie IXFK120N20P PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFK120N20P - IXYS herunter.

Datenblätter
IXF(H,K)120N20P.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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