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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFK120N25
IXYS
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IXFK120N25 - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFK120N25
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFK120N25
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 250V 120A TO264AA
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-264-3, TO-264AA
Datenblatt
IXF(X,K)120N25.pdf
vorrätig: 5020

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Spezifikation

IXFK120N25 Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFK120N25 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFK120N25

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 8mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-264AA (IXFK)  
Serie HiPerFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 500mA, 10V  
Verlustleistung (max) 560W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-264-3, TO-264AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9400 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 400 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 120A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFK120  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFK120N25.

Produkteigenschaften IXFK120N25 IXFK102N30P IXFK120N30T IXFK120N25P
Artikelnummer IXFK120N25 IXFK102N30P IXFK120N30T IXFK120N25P
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 120A (Tc) 102A (Tc) 120A (Tc) 120A (Tc)
Serie HiPerFET™ HiPerFET™, Polar HiPerFET™, Trench HiPerFET™, Polar
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 500mA, 10V 33mOhm @ 500mA, 10V 24mOhm @ 60A, 10V 24mOhm @ 60A, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 8mA 5V @ 4mA 5V @ 4mA 5V @ 4mA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9400 pF @ 25 V 7500 pF @ 25 V 20000 pF @ 25 V 8000 pF @ 25 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Paket Tube Box Tube Tube
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250 V 300 V 300 V 250 V
Supplier Device-Gehäuse TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK)
Grundproduktnummer IXFK120 IXFK102 IXFK120 IXFK120
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 400 nC @ 10 V 224 nC @ 10 V 265 nC @ 10 V 185 nC @ 10 V
Verpackung / Gehäuse TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 560W (Tc) 700W (Tc) 960W (Tc) 700W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

IXFK120N25 Datenblatt PDF

Laden Sie IXFK120N25 PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFK120N25 - IXYS herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Devices OBS 24/Feb/2014.pdf
Datenblätter
IXF(X,K)120N25.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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